특허소송 대책
소송대책 전략
지재권 소송 절차
특허분쟁 및 심판
특허조사의 중요성
특허,상표,디자인 심판
결정계 심판
당사자계 심판
해외 특허소송 대책
미국 IP소송대책 전략
일본 IP소송대책 전략
중국 IP소송대책 전략
유럽 IP소송대책 전략
홍콩IP소송대책 전략
기타국 IP소송대책 전략
산업별 분쟁 및 소송사례
기업간 특허전쟁 사례
정보통신
전기전자
섬유화학
기계소재
사례중심 분석
국가별 분쟁판례정보
미국 분쟁판례정보
일본 분쟁판례정보
유럽 분쟁판례정보
중국 분쟁판례정보

기업간 특허전쟁 사례

BTG VS 삼성전자 : 플레쉬메모리 관련 특허분쟁

2010년 10월 29일 BTG인터내셔널과 삼성전자가 낸드 플래시 관련 특허에 대해 합의할 것이라 밝힘

BTG는 삼성의 낸드플래시가 포함된 제품의 수입을 금지해달라는 요청을 냈었다. 이들이 보유한 특허는 '멀티레벨 셀'이라는 불리는 셀당 1비트 이상의 정보를 저장할 수 있는 프로그래밍 및 리딩 방법

청구 취지:
원고 BTG 는 피고등이 미국내로 수입하는 제품들이 원고의 특허를 침해하므로 수입금지를 구함

분쟁배경:
2008년 BTG는 미국 텍사스 동부지방법원에 삼성전자 의 낸드플래쉬 메모리가 자신의 특허를 침해하였다는 소를 제기하였고 이 소송은 현재 ITC의 판단이 나올때까지 중지되어 있음

분쟁내용:
미국 특허 전문업체 BTG인터내셔널은 삼성전자와 애플(아이폰·아이팟·맥북), 림(블랙베리 스톰), 소니(바이오 노트북PC), 델, 아수스, 레노버 등 삼성전자의 낸드 플레쉬 메모리를 사용하는 업체들을 관련특허침해로 ITC에 제소함. 따라서 제품의 원산지는 홍콩, 대만, 캐나다 등임.

관련업계 파급효과:
삼성전자의 낸드 플레쉬 메모리를 사용하는 전세계 Notebook 업계에 영향이 있을 것으로 판단


아래는 관련 사건 기사를 시간별로 정리했다

2009.07.28
삼성電, 미국 기업에 특허소송 당해   아시아경제 경제 2009.07.28 (화) 오전 11:05


2009.07.29
삼성, 플래시 메모리 특허 침해 또 피소   전자신문 경제 2009.07.29 (수) 오전 6:03


2009.07.31
미국의 BTG인터내셔널이 ##삼성전자##에 소송을 걸었다.   뉴스핌 경제 2009.07.31 (금) 오전 10:37

(재송) 美 BTG인터내셔널, 삼성전자 ITC에 제소   뉴스핌 경제 2009.07.31 (금) 오전 10:40


2009.08.11
BTG, 삼성전자와의 소송 "우리에게 유리할 것"   뉴스핌 경제 2009.08.11 (화) 오전 11:24

2009.08.25
美 ITC, 삼성電 메모리칩 특허위반 조사 착수   아시아경제 경제 2009.08.25 (화) 오후 5:19

美무역위, 삼성 낸드플래시 특허침해 조사 나서   한국경제 경제 2009.08.25 (화) 오후 6:33


2009.09.01
미 ITC, 삼성 플래시 메모리 칩 특허침해 조사 착수    전자신문 경제 2009.09.01 (화) 오전 6:24


2010.10.29
삼성전자, 특허 침해 소송관련 BTG와 조정 합의    아시아경제 경제 2010.10.29 (금) 오전 4:00

삼성전자, BTG와 플래시칩 특허 침해 건 합의키로   뉴스핌 2010.10.29 (금) 오후 2:32

삼성전자, 美 BTG특허소송 합의키로   머니투데이 경제 2010.10.29 (금) 오후 6:20



문제 특허 정보:

특허 명칭: Electrically alterable non-voltatile memory with N-bits per memory cell
특허 번호: US5394362
출월일: 1993-06-04
공개 / 등록일자: 1995-02-28
출원인: BTG INTERNATIONAL INC
발명자: BANKS, GERALD J


특허 요약:

The bit storage density of an Electrically Alterable Non-Volatile Memory (EANVM) cell is improved by increasing the number of bits that are stored on an individual memory cell, without increasing the size and complexity of the memory cell, by allowing a non-volatile memory cell to assume 2 n discrete memory states. A multi-bit memory cell uses a floating gate FET which is electrically programmed to 2 n different thresholds. The 2 n different conductivity states of the FET are provided as information storage states for the cell.


대표도:



관련 특허를 더 정확하게 확인 하고 싶으면 아래 URL을 참조
http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?DB=worldwide.espacenet.com&II=0&ND=3&adjacent=true&locale=en_EP&FT=D&date=19950228&CC=US&NR=5394362A&KC=A#


분쟁 정보 출처: 수출기업 분쟁지원 시스템
특허 정보 출처: worldwide.espacenet.com




더 자세한 IP 정보 및 기타 궁금한 사항이 있으시면 아래 연락처를 통해 문의하시기 바랍니다.
성실하고 풍부한 정보를 제공해드리겠습니다.

"대일국제특허법률사무소_ Daeil Int'l Patent & Trademark Offices"

대일국제특허법률사무소는 1997년 4월 창립 이래 20년 이상 국내 및 해외 특허, 상표, 디자인 등의 출원 및 등록을 성공리에 서비스해온 지식재산전문가 그룹입니다. 국내 및 해외의 특허, 실용신안, 상표, 디자인 등록 및 심판, 소송, 감정등의 토털 서비스를 지향하고 있습니다. 또한 고객님의 지식재산권을 소중하게 여기고, 최상의 권리로서 확보할 수 있도록 항상 최선을 다하고 있습니다.


전화상담: 02-554-3027 또는 3026  /  메일상담: daeilpat@gmail.com

대일국제특허법률사무소 홈페이지 

> 온라인 무료상담:  특허상담  /  상표상담  /  디자인상담   /  해외출원상담 

카카오톡 1:1 변리사 상담

뉴아이피비즈 제휴문의 이용약관 개인정보보호정책 오시는 길 사이트 맵
홍보: 주식회사 코마나스 해외업무: 대일국제특허법률사무소
서울시 영등포구 당산로 27길 18 진양빌딩 3층
사업자등록번호 : 117-81-77198, 대표 이현구/변리사 이종일
Copyright © 2011~2019 Comanas Co., Ltd all rights reserved.